單項選擇題對運用中的懸式絕緣子串劣化絕緣子的檢出測量，不應選用（）的方法。

A、測量電位分布；
B、火花間隙放電叉；
C、熱紅外檢測；
D、測量介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ。


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項選擇題對已有單獨試驗記錄的若干不同試驗電壓的電力設(shè)備，在單獨試驗有困難時，可以連在一起進行耐壓試驗。此時，試驗電壓應采用所連接設(shè)備中試驗電壓的（）。

A、最高值；
B、最低值；
C、最高值與最低值之和的平均值；
D、各試驗電壓之和的平均值。

2.單項選擇題在直流耐壓試驗的半波整流電路中，高壓硅堆的最大反向工作電壓，不得低于試驗電壓幅值的（）。

A、2.83倍；
B、2倍；
C、1倍；
D、1.414倍。

3.單項選擇題電氣設(shè)備溫度下降，其絕緣的直流泄漏電流（）。

A、變大；
B、變小；
C、不變；
D、變得不穩(wěn)定。

4.單項選擇題大型同步發(fā)電機和調(diào)相機的溫度上升，其定子繞組絕緣的吸收比或極化指數(shù)（）。

A、變大；
B、變??；
C、不變；
D、變得不穩(wěn)定。

5.單項選擇題單臂電橋不能測量小電阻的主要原因是（）。

A、橋臂電阻過大；
B、檢流計靈敏度不夠；
C、電橋直流電源容量太??；
D、測量引線電阻及接觸電阻影響大。