A、自由 B、接觸 C、輻射 D、蒸發(fā)
A、大量水沖洗 B、用5%堿浸泡 C、用除鹽水浸泡24h D、用15%的鹽酸浸泡
A、只允許透過陽離子 B、只允許透過陰離子 C、只透過溶質(zhì),不透過水 D、只透過水、基本不透過溶質(zhì)