多項(xiàng)選擇題礦物晶體缺陷類型較多，但最典型的是（）。

A.間隙離子
B.間隙分子
C.間隙原子
D.空位
E.位錯(cuò)


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1.多項(xiàng)選擇題離子晶體解離時(shí)，遵循的原則有（）。

A.解離時(shí)斷裂的是離子鍵
B.解離面是距陰離子最近的臨近面
C.解離面破壞原子團(tuán)
D.解離面不破壞原子團(tuán)
E.解離面只分裂了分子，沒(méi)有分裂原子

2.單項(xiàng)選擇題（）吸附缺乏選擇性，并且吸附是可逆的。

A.離子吸附
B.特征吸附
C.雙電層外層吸附
D.雙電層內(nèi)層吸附

3.單項(xiàng)選擇題（）又被稱為靜電吸附。

A.緊密層吸附
B.擴(kuò)散層吸附
C.分子吸附
D.雙電層內(nèi)層吸附

4.單項(xiàng)選擇題吸附結(jié)果不會(huì)改變礦物表面電性的是（）。

A.分子吸附
B.交換吸附
C.定位吸附
D.雙電層內(nèi)層吸附

5.單項(xiàng)選擇題經(jīng)常與定位吸附同時(shí)發(fā)生的是（）。

A.分子吸附
B.交換吸附
C.緊密層吸附
D.擴(kuò)散層吸附