在檢測晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。

無論聲波相對于缺陷是垂直入射還是斜入射，缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。

當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí)，而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，會(huì)使定量誤差增加，精度下降。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

爬波在自由表面的位移有垂直分量，但不是純粹的表面波。

當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。

經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。