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問答題

如圖所示為N溝道結(jié)型結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路中，已知V_P=-4v，I_DSS=1mA， V_DD=16v， R_G1=160kΩ，R_G2=40kΩ，R_G=1MΩ，R_D=10kΩ，R_S=8kΩ，R_L=1MΩ。

試求：靜態(tài)工作點(diǎn)Q

參考答案：

1.問答題 如圖所示的放大電路中，已知R_b1=16kΩ，R_b2=11kΩ，R_c1=0.5kΩ，R_c2=2.2kΩ，R_E1=0.2kΩ，R_E2=2.2kΩ，R_L=2.2kΩ，β=80，u_BE=0.7V，V_CC=24V。試求：

輸入電阻Ri、輸出電阻Ro

2.問答題 如圖所示的放大電路中，已知R_b1=16kΩ，R_b2=11kΩ，R_c1=0.5kΩ，R_c2=2.2kΩ，R_E1=0.2kΩ，R_E2=2.2kΩ，R_L=2.2kΩ，β=80，u_BE=0.7V，V_CC=24V。試求：

電壓發(fā)達(dá)倍數(shù)

3.問答題 如圖所示的放大電路中，已知R_b1=16kΩ，R_b2=11kΩ，R_c1=0.5kΩ，R_c2=2.2kΩ，R_E1=0.2kΩ，R_E2=2.2kΩ，R_L=2.2kΩ，β=80，u_BE=0.7V，V_CC=24V。試求：

畫出微變等效電路

4.單項(xiàng)選擇題差分放大電路的共模抑制比K_CMR越大，表明電路（）

A. 放大倍數(shù)越穩(wěn)定
B. 交流放大倍數(shù)越大
C. 直流放大倍數(shù)越大
D. 抑制零漂的能力越強(qiáng)

5.單項(xiàng)選擇題晶體管參數(shù)受溫度影響較大，當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的β，I_CBO，u_BE的變化情況為（）。

A.β增加，I_CBO和 u_BE減小
B.β和I_CBO增加，u_BE減小
C.β和u_BE減小，I_CBO增加
D.β、I_CBO和u_BE都增加