單項(xiàng)選擇題探頭晶片尺寸(),近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度增加,對(duì)近表面探傷不利。
A、增加
B、減小
C、不變
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1.單項(xiàng)選擇題雙晶探頭用于探測(cè)工件()缺陷。
A、近表面
B、表面
C、內(nèi)部
D、平面形
2.單項(xiàng)選擇題探傷儀主要指標(biāo)中的動(dòng)態(tài)范圍和電路中的()關(guān)聯(lián)較大。
A、電源部分
B、顯示部分
C、接收部分
D、發(fā)射部分
3.單項(xiàng)選擇題通常在檢修探傷儀故障時(shí),為了準(zhǔn)確迅速的判明故障部位除根據(jù)電原理進(jìn)行分析外,還可采用()、調(diào)換通道、測(cè)量波形等方法。
A、更換儀器
B、更換部件
C、更換車體
D、更換探頭
4.單項(xiàng)選擇題()不是串聯(lián)式充電器的優(yōu)點(diǎn)。
A、電路簡(jiǎn)單
B、元件少
C、適應(yīng)范圍小
D、適應(yīng)范圍大
5.單項(xiàng)選擇題用于放大作用的集成電路是()。
A、AD8011
B、CD4047
C、AD603
D、CD4017
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超聲平面波不存在材質(zhì)衰減。
題型:判斷題
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題型:判斷題