A.電路交換
B.分組交換
C.信息交換
D.信息存儲(chǔ)
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A.數(shù)據(jù)報(bào)（Datagram）
B.平面直角管
C.報(bào)文交換
D.虛電路（Visual Circuit，VC）
A.程序傳送方式
B.中斷傳送方式
C.直接存儲(chǔ)器存取（DMA）方式
D.通道方式和外圍處理機(jī)
A.微電子技術(shù)
B.計(jì)算機(jī)技術(shù)
C.信息處理
D.信息存儲(chǔ)技術(shù)
A.球面管
B.平面直角管
C.柱面管
D.純平管
最新試題
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。
使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動(dòng)。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱為（）
已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
軟件堆棧在工作中（）移動(dòng)。
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問(wèn)、低功耗和大容量？（）
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
將十六進(jìn)制數(shù)（2BA）16化成十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。