無(wú)論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射，缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

超聲波在圓柱內(nèi)反射，如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換，且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波，返回探頭接收，會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。

動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

當(dāng)工件內(nèi)應(yīng)力與波的傳播方向一致時(shí)，若應(yīng)力為壓縮應(yīng)力，則應(yīng)力作用會(huì)使工件彈性增加，導(dǎo)致聲速減慢。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。