問(wèn)答題

【計(jì)算題】
兩塊n型硅材料，在溫度T時(shí)，第一塊與第二塊的電子密度之比為n₁/n₂=e。
（1）如果第一塊材料的費(fèi)米能級(jí)在導(dǎo)帶之下3k₀T，求第二塊材料的費(fèi)米能級(jí)的位置。
（2）兩塊材料中空穴密度之比。

答案：

（1）設(shè)第一塊和第二塊材料的費(fèi)米能級(jí)分別為E_F1和E_F2，利用

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問(wèn)答題

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答案：

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】在半導(dǎo)體中，V族雜質(zhì)原子外層第五個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)，可以看成是圍繞一個(gè)正核電荷的圓形軌道上運(yùn)動(dòng)，并穿過(guò)具有體介電常數(shù)的材料。證明，如果介電常數(shù)為11.7，則能量為大約0.1eV的電子，就能在晶體中自由運(yùn)動(dòng)。材料晶格常數(shù)為5.42A。

答案： XXX基態(tài)的能量為Z=1，n=1時(shí)的值，

電荷束縛，在<流體>中運(yùn)動(dòng)，同理可求出基態(tài)半徑：

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