填空題MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對(duì)應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對(duì)應(yīng)后者的（）、前者的飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的（）、前者的非飽和區(qū)對(duì)應(yīng)后者的（）。
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4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為（）
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集成運(yùn)放的反相輸入端，當(dāng)輸入信號(hào)（ui1）由此輸入時(shí)，輸出信號(hào)（u0）與輸入ui1同相。
題型：判斷題