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問答題 設(shè)圖中A為理想運(yùn)放，求各電路的輸出電壓值。

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1.問答題 電路如圖所示，設(shè)滿足深度負(fù)反饋條件。
（1）判斷級間反饋的極性和組態(tài)；
（2）求其閉環(huán)電壓放大倍數(shù)A_uf。

2.問答題 放大電路如圖所示，電路中電容容量足夠大，三極管的β＝50，r_bb’＝200Ω，U_BE＝0.6V，R_B1＝120KΩ，R_B2＝40KΩ，R_C＝R_L＝4KΩ，R_E＝2.1KΩ，V_CC＝12V，信號源內(nèi)阻R_S＝10KΩ，
（1）估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)I_BQ、I、U_CEQ；
（2）畫出微變等效電路；
（3）計算電路的放大倍數(shù)A_u、A_us、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o的值。
（4）去掉旁路電容C_E，求電壓放大倍數(shù)A_u，輸入電阻R_i。

參考答案：

3.單項(xiàng)選擇題 圖所示電路中，R_i為其輸入電阻，R_S為常數(shù)，為使下限頻率f_L降低，應(yīng)（）

A.減小C減小R_i
B.減小C增大R_i
C.增大C減小R_i
D.增大C增大R_i

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4.單項(xiàng)選擇題 圖所示復(fù)合管，已知T₁的β₁ = 30，T₂的β₂ = 50，則復(fù)合管的β約為（）

A.1500
B.80
C.50
D.30

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5.單項(xiàng)選擇題 某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，該管為（）

A.P溝道增強(qiáng)型MOS管
B.P溝道結(jié)型場效應(yīng)管
C.N溝道增強(qiáng)型MOS管
D.N溝道耗盡型MOS管

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