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單項選擇題

在Si材料中摻入P，則引入的雜質(zhì)能級（）。

A. 在禁帶中線處
B. 靠近導帶底
C. 靠近價帶頂
D. 以上都不是

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在熱力學溫度零度時，能量比F_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（），當溫度大于熱力學溫度零度時，能量比E_F小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為（）。

答案：等于0；大于1/2

將Si摻雜入GaAs中，若Si取代Ga則起（）雜質(zhì)作用，若Si取代As則起（）雜質(zhì)作用。

答案：施主；受主