微信掃一掃關(guān)注公眾號(hào)后聯(lián)系客服
微信掃碼免費(fèi)搜題
首頁
題庫
網(wǎng)課
在線???/h3>
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項(xiàng)
問答題
【案例分析題】對(duì)于室溫下硅材料,假設(shè)載流子遷移率分別為μ
n
=1350cm
2
/V·s,μ
p
=5001350cm
2
/V·s,且認(rèn)為不隨摻雜而變化。已知q=1.6×10
-19
C,本 征載流子濃度n
i
=10
10
cm
-3
,硅的原子密度為5×10
22
cm
-3
,Nc=Nv=10
19
cm
-3
,k
0
T=0.026eV,ln200=5.3。試計(jì)算本征硅的電阻率。
答案:
點(diǎn)擊查看答案
在線練習(xí)
手機(jī)看題
你可能感興趣的試題
判斷題
金屬和半導(dǎo)體接觸分為有整流特性的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸。
答案:
正確
點(diǎn)擊查看答案解析
手機(jī)看題
判斷題
在一定溫度下,光照在半導(dǎo)體材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照穩(wěn)定后,由于電子空穴對(duì)的產(chǎn)生率與復(fù)合率相等,所以稱為熱平衡狀態(tài),有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。
答案:
錯(cuò)誤
點(diǎn)擊查看答案解析
手機(jī)看題