如圖所示，電路中已知T1、T2均為硅管，U_BE1=U_BE2=0.7V，R_C1=R_C2=3.8KΩ，R_B1=R_B2=1KΩ，R_E=5.1KΩ，V_CC=1.5V，V_EE=-12V，β₁=β₂=50 試計(jì)算： 
（1）靜態(tài)各種點(diǎn)的值； 
（2）差模電壓放大倍數(shù)、共模電壓放大倍數(shù)及共模抑制比； 
（3）差模輸入電阻、共模輸入電阻及輸出電阻。

由N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管組成的電路如下圖所示。設(shè)U_GSQ=-0.2V,   G_m=1.2ms。
試求： 
（1）電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)I_DQ和UG_SQ之值
（2）畫出微變等效電路圖 
（3）電壓放大倍數(shù)Á_u 
（4）輸入電阻R_i和輸出電阻R_O

如圖所示，放大電路中，已知V_CC=15V，_s=0.5KΩ，R_b1=40KΩ，R_b2=20KΩ，R_c=2KΩ，R_E1=0.2KΩ，R_E2=1.8KΩ，R_L=2KΩ，β=50，U_BE=0.7V。
試求：
（1）電路的靜態(tài)工作點(diǎn) 
（2）畫出微變等效電路 
（3）輸入電阻R_i和輸出電壓R_o 
（4）電壓放大倍數(shù)A_u和源電壓放大倍數(shù)A_us