MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。