比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。