填空題

直拉法單晶生長過程包括（）、（）、（）、（）、（）等步驟。

答案： 下種；收頸；放肩；等徑生長；收尾
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高純硅制備過程為（）→（）→（）→（）→（）。
答案： 氧化硅；粗硅；低純四氯化硅；高純四氯化硅；高純硅
填空題

晶體中的缺陷包括（）、（）、（）、（）等四種。
答案： 點(diǎn)缺陷；線缺陷；面缺陷；體缺陷
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