填空題

直拉法單晶生長過程包括()、()、()、()、()等步驟。

答案: 下種;收頸;放肩;等徑生長;收尾
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高純硅制備過程為()→()→()→()→()。

答案: 氧化硅;粗硅;低純四氯化硅;高純四氯化硅;高純硅
填空題

晶體中的缺陷包括()、()、()、()等四種。

答案: 點(diǎn)缺陷;線缺陷;面缺陷;體缺陷
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