多項(xiàng)選擇題晶體中存在下列（）因素將導(dǎo)致晶體不是理想晶體。

A.點(diǎn)缺陷
B.縫隙原子
C.面缺陷
D.線缺陷


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1.多項(xiàng)選擇題下面（）可作為活性的表示方法。

A.轉(zhuǎn)化率
B.選擇性
C.反應(yīng)溫度
D.時(shí)空產(chǎn)率

2.多項(xiàng)選擇題金屬、載體間的強(qiáng)相互作用可導(dǎo)致（）

A.H2吸附下降
B.氧化反應(yīng)速率下降
C.CO吸附下降
D.加氫反應(yīng)速率下降