填空題雜質半導體中的多數載流子是由摻雜產生的，少數載流子是由（）產生的。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.填空題PN結的反向擊穿有雪崩和（）兩種擊穿。
2.單項選擇題判別負反饋放大電路的反饋極性所用的方法通常稱為（）
A.方框圖法
B.瞬時極性法
C.短路法
D.開路法
3.單項選擇題當信號頻率等于截止頻率時，放大倍數的值約為中頻放大倍數的（）倍。
A.0.1
B.0.5
C.0.707
D.0.9
4.單項選擇題對放大電路，閉環(huán)是指電路（）
A.考慮交流信號源內阻
B.接入直流電源
C.存在反饋通路
D.接入負載
5.單項選擇題場效應管用作放大交流小信號時，應工作在（）
A.飽和區(qū)
B.非飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.擊穿區(qū)
最新試題
單邊帶發(fā)射機的優(yōu)點是（）
題型：單項選擇題
在實際工作中，要想傳輸信號能量，其電壓駐波比應該（）。
題型：單項選擇題
甲類放大器與其它類放大器相比，（）。
題型：單項選擇題
要想進行幅度調制，必須利用電子器件的非線性，這些器件是（）。
題型：單項選擇題
一般通過改變（）來調整多諧振蕩器的頻率。
題型：單項選擇題
（）不需要加觸發(fā)信號就會產生輸出。
題型：單項選擇題
對于半導體材料，隨溫度升高：（）
題型：單項選擇題
N溝道和P溝道結型場效應管所加的柵極控制電壓均為（）。
題型：單項選擇題
如圖所示電路，晶體管的β=100，rbe=1kΩ，Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測得靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V，試求Rb阻值。2.若測得和的有效值分別為1mV和100mV，求負載電阻RL大小。
題型：問答題
與混頻前的高頻相比中頻信號的（）未發(fā)生變化。
題型：單項選擇題