tanδ測(cè)試時(shí)，隨著試驗(yàn)電壓U的變化，tanδ值呈開口環(huán)曲線，則試品屬于（）。

（）所施加的試驗(yàn)電壓是一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短的沖擊波。

磁場(chǎng)中磁力線線條稀疏處表示磁場(chǎng)（）。

與均勻電場(chǎng)相比，不均勻電場(chǎng)中空氣間隙的擊穿電壓大大下降。

M型介質(zhì)試驗(yàn)器往被試品上施加的交流試驗(yàn)電壓為（）。

半波整流回路的直流輸出電壓只能接近等于試驗(yàn)變壓器高壓側(cè)輸出電壓的幅值。

氣體間隙的擊穿電壓與電場(chǎng)是否均勻（）。

對(duì)于充油設(shè)備，只有在（）合格后方可進(jìn)行破壞性試驗(yàn)。

當(dāng)被試品具有較大電容時(shí)，tanδ測(cè)試只能反映整體的絕緣狀況。

電氣設(shè)備直流泄漏電流的測(cè)量，采用（）測(cè)量其大小。