動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個(gè)不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。（4）CPU通過（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過（）把信息寫入有關(guān)端口。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。

由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為（）

計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是（）。

存儲器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒有。

在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量？（）