本征吸收:半導(dǎo)體吸收光子能量大于帶隙的光子,使電子直接躍遷到導(dǎo)帶。 又本征吸收產(chǎn)生的非平衡載流子的增加使半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加。
若只計(jì)及最近鄰的相互作用,用緊束縛近似方法可以得到體心立方晶格S態(tài)電子能帶由下式確定: E(k)=E0-A-8Jcosakxcosakycosakz 其中J為交迭積分。試求: 1.體心立方晶格的能帶寬度 2.能帶底部和能帶頂部的有效質(zhì)量。 3.畫出沿kx方向E(kx)和U(kx)的曲線。
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